Новые 600В XPT IGBT транзисторы IXYS

КорпорацияIXYSобъявляет о расширении линейки дискретныхIGBTтранзисторов на600В,выполненных по современной технологии Extreme LightPunchThrough (XPT),которая является очередным этапом развития классаNPTIGBT. Отличительными особенностями новых транзисторов являются:  -высокая допустимая рабочая температура–до175°С,  -низкое падение в открытом состоянии -Vcesatдо1.8В,  -малое время спада тока -tfiдо42нс,  -низкая энергия выключения -Eoffдо0.33мДж. Транзисторы обладают положительным температурным коэффициентом напряжения, что позволяет осуществлять их параллельное включение с целью достижения требуемых уровней мощности. Представленные транзисторы разделены на два класса - классB3и классC3,отличающиеся быстродействием. Данное разделение дает разработчикам возможность выбора оптимального устройства с учётом частоты коммутации, напряжения насыщенияи стоимости устройства. Транзисторы классаB3–это баланс между проводимостью и потерями переключения, они оптимальны для частот10кГц÷ 30кГц.Транзисторы классаC3отличаются минимальными потерями переключения и рекомендуются для частот переключения20кГц÷ 60кГц. Предлагаемые транзисторы могут оснащаться встроенным обратным диодом, выполненным по технологииIXYS Sonic-FRDTMилиHiPerFREDTM,что дополнительно снижает потери при запирании транзистора. Кроме того данные диоды отличаются мягкой характеристикой восстановления, что позволяет включатьXPT IGBTтранзисторы при высокихdi/dtдаже при низком токе при любой температуре, а также обеспечивает превосходную ЭМИ-совместимость независимо от величины коммутируемого тока. Тип встроенного обратного диода указан в обозначении транзистора:  -суффиксH1обозначаетSonic-FRDTM,напримерIXXK100N60C3H1,  -суффиксD1обозначает HiPerFREDTMTM,например -IXXH50N60C3D1. Области применения предлагаемых устройств:  -силовые инверторы,  -источники бесперебойного питания,  -системы управления электроприводом,  -импульсные источники питания,  -корректоры коэффициента мощности,  -зарядные устройства,  -сварочные аппараты,  -устройства электронного балласта. В первый выпускXPT IGBTпопадают устройства с токами от100Aдо210A: Модель VCES (V) IC25 Tc=25°C (A) IC100 Tc=100°C (A) Vce(sat) max (V) tfi typ (ns) Eoff typ TJ=125°C (mJ) RthJC max (°/W) Встроенный диод Корпус IXXH100N60B3 600 210 100 1.8 150 2.8 0.18 - TO-247 IXXK100N60B3H1 600 190 - 1.8 150 2.8 0.18 Sonic-FRD TO-264 IXXH50N60C3 600 100 50 2.3 42 0.48 0.25 - TO-247 IXXH50N60C3D1 600 100 50 2.3 42 0.48 0.25 HiPerRFED TO-247 IXXH100N60C3 600 190 100 2.2 75 1.4 0.18 - TO-247 IXXK100N60C3H1 600 170 - 2.2 75 1.4 0.18 Sonic-FRD TO-264 Подробная техническая информация о предлагаемых транзисторах доступна по ссылкам, приведённым в таблице, а также на сайте производителя. ФирмаMT-системявляется крупнейшим представителем корпорацииIXYSв России.

Источник