600вольтовые MOSFET транзисторы от ON Semi

КомпанияON Semiconductorобъявила о начале производства высоковольтных (600 V) MOSFET транзисторов на токи 4, 6 и 10 A в различных корпусах. Все транзисторы имеют низкое сопротивление канала в открытом состоянии и ESD защиту затвора. Основные области применения - сетевые источники питания, балласты люменисцентных ламп и LED драйверы.

Основные характеристики:

1.04N60Zсерия

• Drain−to−Source Voltage V_DSS- 600 V
• Continuous Drain Current I_D- 4 A
• R_DS(ON) (TYP) @ 2 A - 1.8 mΩ
• Total Gate Charge (Qg) - 19 nC
• Корпуса - TO−220FP, TO−220AB, DPAK, IPAK

2.06N60Zсерия

• Drain−to−Source Voltage V_DSS- 600 V
• Continuous Drain Current I_D- 6 A
• R_DS(ON) (TYP) @ 3 A - 0.98 mΩ
• Total Gate Charge (Qg) - 31 nC
• Корпуса - TO−220FP, TO−220AB

3.10N60Zсерия

• Drain−to−Source Voltage V_DSS- 600 V
• Continuous Drain Current I_D- 10 A
• R_DS(ON) (TYP) @ 5 A - 0.65 mΩ
• Total Gate Charge (Qg) - 47 nC
• Корпуса - TO−220FP, TO−220AB

 

 

 

 

Источник