IXYSпредставляет GigaMOS TrenchT2™ - мощные силовые MOSFET-ключи в низкопрофильных DE и SMPD-корпусах.

КорпорацияIXYSобъявляет о выпуске мощныхMOSFET-ключейIXTZ550N055T2,IXFZ520N075T2иMMIX1F520N075T2,расширяющихлинейкуGigaMOSTrenchT2™.Данные устройства сочетают превосходные токовые характеристики линейки IXYSGigaMOSTrenchT2™и улучшенные электрические, тепловые и механические параметры технологии низкопрофильных устройств.

Ключи IXTZ550N055T2и IXFZ520N075T2реализованы в корпусахDE475,а ключ MMIX1F520N075T2–в новом мощномSMPD-корпусе.

Совокупность низкопрофильного корпусирования и проработанной силовой части позволила создать компактные мощные MOSFET-ключи с рабочими напряжениям до250В,токами до550Аи минимальной площадью монтажа. В ключах GigaMOSTrenchT2™была использована переработаннаяIXYSтехнологияTrenchT2™,отличающаяся увеличенной плотностью носителей в канале и исключительно низким значением сопротивления открытого канала (R_{DS_on}<1мОм),а результате - большей мощностью, лучшей проводимостью и эффективностью ключа.

ИспользованиеMOSFET-ключей из линейкиIXYSGigaMOSTrenchT2™позволяет упростить силовую и драйверную части, сократить общее количество элементов в устройстве, повысить надёжность решения и снизить стоимость.

ЛинейкаGigaMOSTrenchT2™мощныхMOSFET-ключей представлена двумя направлениями:

·         бюджетныеTrenchT2™ключи,

·         улучшенныеTrenchT2HiPerFET™ключи.

 

КлючиIXFZ520N075T2иMMIX1F520N075T2,построенные с применением технологииHiPerFET™выдерживают большие значения напряжения и отличаются повышенной мощностью и эффективностью.

РазработанныеIXYSкорпусаDE-серии отличаются низкой индуктивностью, высокой мощностью и плотностью монтажа.

Высота ключейIXTZ550N055T2иIXFZ520N075T2в низкопрофильных корпусахDE475составляет3.175мм,ширина -40.6мм,длина -19.56мм,вес–3гр.Это в десять раз меньше, чем вес популярного ключа в корпусеSOT-227и в 5 раз меньше по объёму при лучших мощностных характеристиках.

Ключ MMIX1F520N075T2 вSMPD-корпусе (высота5.3 мм,длина24.8 мм,ширина32.3 мм)при массе8гр.в четыре раза легче стандартногоSOT-227,в три раза компактнее и также отличается большей мощностью.

КлючиGigaMOSTrenchT2™построены на кремниевой подложке по технологииDCB,активно развиваемойIXYS.Совпадение теплового расширения кремния иDCB-керамики минимизирует механическое напряжение в кристалле и подложке, обусловленное токовой динамикой и термоциклированием, что положительно влияет на надежность устройства. Применение технологииDCBпозволило получить рекордно высокие значения теплопроводности«кристалл-теплоотвод»в сочетании с отличной электрической изоляцией теплоотводящего основания устройства от токоведущих частей:

·         предельное напряжение изоляции«кристалл-теплоотвод» -до2,5 кВ,

·         тепловое сопротивление«кристалл-теплоотвод» -не более0,25 °/Вт,

·         допустимая мощность - до600 Вт,

·         температура кристалла - до175 °С.

Целевым применением ключейGigaMOSTrenchT2™являются:

·         DC/DC-преобразователи,

·         инверторы солнечных батарей,

·         источники бесперебойного питания,

·         системы индукционного нагрева,

·         электровелосипеды и электромобили,

·         системы управления электроприводом,

·         мощные системы зарядки батарей,

·         синхронные выпрямители,

а также прочие задачи силовой электроники.

 

Информация о ключахIXTZ550N055T2,IXFZ520N075T2иMMIX1F520N075T2доступна по приведенным ссылкам и насайтепроизводителя.

 

ФирмаMT-системявляется официальным дистрибьюторомIXYS на территории России.

Источник